Chapitre 2 : Etude de l’interface Er/Si(111) 7x7       

2.1 Introduction

2.2 La surface Si(111) 7x7

2.2.1 Le modèle atomique DAS de la 7x7

2.2.2 Les propriétés électroniques de la 7x7

2.2.3 La préparation de la surface Si(111) 7x7

2.3 L’interface Er/Si(111) 7x7

         2.3.1Mode opératoire

2.3.2 Le siliciure d’erbium 2D ErSi2

2.3.3 Le siliciure d’erbium 3D ErSi1,7

2.3.4 Le mode de croissance du siliciure d’erbium

2.3.4.1 Mode de croissance étudié par photoémission UV

2.3.4.2 Mode de croissance étudié par STM

2.3.4.3 Les surstructures entre 0,2 et 0,5 monocouche

2.3.4.4 Influence des conditions de dépôt

2.4 Conclusion             

Références bibliographiques du chapitre 2