Chapitre 3 : Etude de l’interface Er/Si(111)-B Ö3xÖ3R30°

3.1 Introduction

3.2 La surface Si(111)-B Ö3xÖ3 R30°

3.2.1 Le modèle structural de la BÖ3 

3.2.2 Les propriétés électroniques

3.2.3 La préparation de la surface BÖ3 et du dépôt d'erbium 

3.3 L'interface Er/Si(111)-B Ö3xÖ3 R30° peu dopé  

3.3.1 La surface BÖ3 peu dopée  

3.3.2 Le mode de croissance et les siliciures 2D et 3D

3.3.3 Le siliciure métastable 2Ö3x2Ö3 R30°

3.3.4 Les modes de croissance du siliciure 2D

3.3.5 Conclusion 

3.4 L'interface Er/Si(111)-B Ö3xÖ3 R30° très dopé

3.4.1 Les résultats en photoémission UPS et spectroscopie ISS

                   3.4.1.1 Le siliciure 2D 

                   3.4.1.2 Le siliciure 3D

3.4.2 L'influence du bore sur la cristallographie    

                   3.4.2.1 Le siliciure 2D

                   3.4.2.2 Le siliciure 3D 

3.4.3 Le mode de croissance

                   3.4.3.1 Etude en photoémission UV

                   3.4.3.2 Etude en microscopie STM

3.4.4 L'influence du bore sur le processus de croissance

3.4.5 Croissance à haute température

3.4.6 Conclusion

3.5 Conclusion générale du chapitre

Références bibliographiques du chapitre 3